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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	700 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113818

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC470ATCPZ-EP-PT	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 EPDigital Attenuator	1:¥157.6011 10:¥144.9225 25:¥138.9222 50:¥138.9222 100:¥122.4016	参考库存:4457
QPA4363ATR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-3.5GHz NF 3.0dB Gain 14.8dB	1:¥18.9049 25:¥14.2154 100:¥11.1418 250:¥9.1417 3,000:¥7.0738	参考库存:16239
CGH27030P	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt	1:¥699.6282	参考库存:4426
HMC460	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 WBand lo Noise amp Chip, DC - 20 GHz	25:¥797.6783 100:¥768.3209	参考库存:4858
TL851CDR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 Sonar Ranging	1:¥46.33 10:¥41.8778 25:¥38.8042 100:¥34.7362 2,500:¥25.3572	参考库存:14810