您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
HMC363S8GE参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HMC363S8GE

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 预定标器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 12 GHz
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:40,928(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
预定标器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
最大工作频率
12 GHz
最小工作频率
DC
分度
8
电源电压-最小
4.75 V
电源电压-最大
5.25 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
输出功率
- 6 dBm
封装 / 箱体
S8G-8
系列
HMC363G
技术
GaAs InGaP
商标
Analog Devices / Hittite
安装风格
SMD/SMT
工作电源电流
70 mA
工作电源电压
5 V
产品类型
Prescaler
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 7.9-8.4GHz PAE 36% P1dB 43 dBm GaN
10:¥9,087.0984
参考库存:5596
无线和射频半导体
射频放大器 2-18GHz LNA / Gain Block w/AGC
100:¥313.123
300:¥280.692
参考库存:27850
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:5563
无线和射频半导体
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W
1:¥346.7744
参考库存:5805
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:5562
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们