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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	E-Band Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	71 GHz to 86 GHz
P1dB - 压缩点	13 dBm
增益	21 dB
工作电源电压	3 V
NF—噪声系数	3.6 dB
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	22 dBm
工作电源电流	50 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC8325
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFT23H200-4S2LR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L	150:¥732.127	参考库存:39792
MRF8P20165WHR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4	250:¥811.9728	参考库存:39797
RFFM8550BTR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5 GHz FEM,WiFi	5,000:¥4.7686 10,000:¥3.6838	参考库存:39802
A2G22S251-01SR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 A2G22S251-01S/CFM2F///REEL 13 Q2 DP	250:¥995.7673	参考库存:39807
MAAP-008516-TR3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2100-2500MHz Gain 30dB Typ.	6,000:¥3.0623 9,000:¥2.9493 24,000:¥2.8589	参考库存:39812

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