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集成电路 - IC
TC58BYG0S3HBAI4参考图片

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TC58BYG0S3HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
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10
¥19.1309
191.309
25
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50
¥18.7467
937.335
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
组织
128 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPC5643LF2MMM1R
NXP / Freescale
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32位微控制器 - MCU SPC5643LF2MMM1/LFBGA257///REEL 13 Q1 DP
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S25FL256SDSBHM213
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NOR闪存 IC 256 Mb FLASH MEMORY
2,500:¥42.1829
参考库存:30814
MAX44298UWE+T
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ISL9538HRTZ
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1,050:¥33.8887
2,550:¥32.5779
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NJM2149V-TE1
NJR
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音频放大器 Low Voltage
2,000:¥3.4578
参考库存:30829

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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