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晶体管

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APTGT100TL60T3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:45,434(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥669.8188
669.8188
5
¥648.2245
3241.1225
10
¥627.941
6279.41
25
¥598.6627
14966.5675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual P-Channel 30V TSOP-6
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥3.1753
500:¥2.3504
3,000:¥1.6272
6,000:查看
参考库存:249988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:28405
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 120A, 2 90 nC Qg, TO-220AB
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
1,000:¥4.6556
参考库存:2762
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥44.7254
10:¥37.9567
100:¥32.883
250:¥31.1993
500:¥28.0466
参考库存:6839
晶体管
MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:13381
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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