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FF1200R17KE3

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1
¥7,771.7558
7771.7558
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
1600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5.95 kW
封装 / 箱体
IHM130-10
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1200R17KE3NOSA1 SP000100586
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1214-80M
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:45108
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:45113
2N4402
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
2,500:¥28.589
参考库存:45118
IPLK70R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4408
25,000:¥2.3391
参考库存:45123
NGTD15R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50A CC15 FAST RECT
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:45128

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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