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晶体管
FCP190N65F参考图片

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FCP190N65F

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库存:8,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.5207
185.207
100
¥16.0573
1605.73
250
¥15.2098
3802.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.6 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II FRFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP190N65F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:9857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:56044
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:78366
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:13238
晶体管
MOSFET 400V Dual N-Ch QFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:32025
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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