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晶体管
DMTH43M8LPSQ-13参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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DMTH43M8LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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库存:17,497(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
1,000
¥4.0906
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH43M8
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V P channel Mosfet
1:¥5.989
10:¥5.2206
100:¥4.0228
500:¥2.9832
2,500:¥2.1018
5,000:查看
参考库存:51469
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:51474
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:51479
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
1:¥23.278
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5996
参考库存:51484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥25.8996
10:¥23.052
25:¥20.8259
50:¥19.8993
参考库存:51489
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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