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晶体管
DXTN3C60PSQ-13参考图片

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DXTN3C60PSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
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库存:18,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.5594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
直流电流增益 hFE 最大值
-
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
97 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9267
3,000:¥2.1244
6,000:查看
参考库存:33427
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
2,500:¥2.2713
参考库存:47579
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:18366
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:3518
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:16670
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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