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晶体管
STGD3HF60HDT4参考图片

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STGD3HF60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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库存:12,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.5 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3HF60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
5,000:¥3.7516
参考库存:49513
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.8082
3,000:¥5.8082
参考库存:22630
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl
1:¥6.6896
10:¥5.5483
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
参考库存:37317
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:12049
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
800:¥3.9663
参考库存:44916
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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