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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
晶体管极性	NPN
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	350 V
集电极—基极电压 VCBO	350 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
集电极—射极饱和电压	1 V
最大直流电集电极电流	0.5 A
增益带宽产品fT	50 MHz
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FMMT65
直流电流增益 hFE 最大值	20 at 1 mA, 10 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 mA, 10 V, 20 at 50 mA, 10 V, 15 at 100 mA, 10 V
Pd-功率耗散	330 mW
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSC4505CX RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	3,000:¥0.75258 12,000:¥0.75258 24,000:¥0.69156 45,000:¥0.66896	参考库存:46193
2N6235	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥388.042 2:¥377.5104 5:¥367.0692 10:¥356.6167	参考库存:46198
BC850CW RF	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.921 10:¥1.7628 100:¥1.1639 1,000:¥0.39211 3,000:¥0.32318	参考库存:46203
IRF3546MTRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block	1:¥50.2511 10:¥45.4147 25:¥43.2564 100:¥37.5725 3,000:¥27.4364	参考库存:46208
PD85035S-E	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	1:¥254.1822 5:¥251.5719 10:¥234.4411 25:¥223.9095	参考库存:46213