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晶体管
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CSD18533KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..
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库存：5,441(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18533KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA113TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:44460
IFN424
InterFET
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -40V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:44465
STGIF10CH60TS-E
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:44470
DRC3115T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:44475
SQP120N06-3M5L_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V 119A 175W AEC-Q101 Qualified
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
250:¥17.063
500:¥15.2889
参考库存:44480

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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