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晶体管
STW21N150K5参考图片

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STW21N150K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
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库存:3,461(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥108.1184
108.1184
10
¥99.4287
994.287
25
¥95.2816
2382.04
100
¥83.9816
8398.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW21N150K5
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MDmesh K5
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
134 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:20444
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
6,000:查看
参考库存:27331
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
1:¥6.0681
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
3,000:¥2.034
参考库存:46268
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥21.5152
10:¥17.8314
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:6675
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8871
参考库存:36832
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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