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晶体管
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MJE180STU

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
2,500
¥1.1413
2853.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE180
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZT3150 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:431233
NVMFS5C460NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.4747
10,000:¥2.3843
25,000:¥2.2939
参考库存:26235
VN3515L-G P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:43947
NGTD30T120F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
157:¥28.815
250:¥27.3573
500:¥24.5097
1,000:¥20.6677
参考库存:39847
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
2,000:¥3.5821
10,000:¥3.4465
24,000:¥3.3335
参考库存:43954

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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