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晶体管
STW60NM50N参考图片

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STW60NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET
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库存:11,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥131.4755
131.4755
10
¥120.9439
1209.439
25
¥115.8702
2896.755
100
¥102.1181
10211.81
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
178 nC
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW60NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
27.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
206 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
1,000:¥3.3335
2,500:¥3.3335
参考库存:49037
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥2,912.8462
参考库存:49042
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:49047
晶体管
MOSFET BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
1,500:¥5.7969
3,000:¥5.4014
6,000:¥5.198
10,500:¥5.0059
参考库存:49052
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SW
5,000:¥1.5933
10,000:¥1.5481
25,000:¥1.4803
50,000:¥1.4577
参考库存:49057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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