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晶体管
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QPD2795

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
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1
¥1,527.1159
1527.1159
25
¥1,264.6282
31615.705
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
364 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
83.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130777
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPH5518-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 1A 50V
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:14309
IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.102
500:¥5.3901
2,500:¥3.7742
10,000:查看
参考库存:8311
FDC365P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -35V P-Channel PowerTrench
1:¥8.2264
10:¥7.0286
100:¥5.4014
500:¥4.7686
3,000:¥3.3448
9,000:查看
参考库存:45163
UML6NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complex Bipolar DC-DC Converter
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.88366
参考库存:15540
STP40NF10
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:12077

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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