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晶体管
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QPD2795

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
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¥1,527.1159
1527.1159
25
¥1,264.6282
31615.705
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
364 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
83.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130777
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS6H880NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
3,000:¥1.8645
9,000:¥1.7967
24,000:¥1.7289
49,500:¥1.695
参考库存:166888
PMP5501Y,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
24,000:¥0.70738
45,000:¥0.67574
99,000:¥0.65314
参考库存:44600
PBSS2515YPN,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
3,000:¥0.5989
9,000:¥0.54579
24,000:¥0.50737
45,000:¥0.46104
99,000:¥0.43844
参考库存:44605
DGTD65T40S2PT
Diodes Incorporated
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 600V-X
450:¥17.8314
900:¥15.9782
参考库存:44610
IKP40N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
500:¥17.4472
1,000:¥14.6787
2,500:¥13.9894
5,000:¥13.447
参考库存:44615

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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