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晶体管
STGP10H60DF参考图片

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STGP10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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库存:9,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0964
7096.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP10H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:13356
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
参考库存:6548
晶体管
MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.11418
参考库存:15755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,500:¥1.1865
参考库存:19757
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:7609
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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