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晶体管
SUP90330E-GE3参考图片

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SUP90330E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
  • 数据手册下载
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库存:7,270(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.0399
3519.95
1,000
¥5.5596
5559.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
35.8 A
Rds On-漏源导通电阻
31.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:18976
晶体管
MOSFET PCH+NCH 1.8V DRIVE S
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:34483
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:441760
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:20187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:99394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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