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晶体管
IPS70R1K4P7SAKMA1参考图片

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IPS70R1K4P7SAKMA1

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库存:8,487(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.9 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPS70R1K4P7S SP001499706
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.76049
20,000:¥0.69947
50,000:¥0.66896
100,000:¥0.64523
参考库存:50767
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
80:¥918.012
参考库存:50772
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
2,000:¥1.6837
参考库存:50777
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,118.4853
参考库存:50782
晶体管
MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp
800:¥7.8422
2,400:¥7.2659
4,800:¥6.9947
9,600:¥6.7235
参考库存:50787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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