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晶体管
NX7002BKSX参考图片

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NX7002BKSX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
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库存：85,470(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
3,000
¥0.48364
1450.92
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
330 mA
Rds On-漏源导通电阻
5.7 Ohms, 5.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1 nC, 1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
870 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
600 mS, 600 mS
下降时间
2.9 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns, 4.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.9 ns, 6.9 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns, 4.7 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDM2206-800LR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
1:¥11.6842
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2772
参考库存:38946
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:38951
SI4362BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:38956
QPD1881L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:38961
PTFB091802FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥524.7381
参考库存:38966

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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