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晶体管
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APT80GA60LD40

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
143 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
143 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
143 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUJ103AX,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:48391
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:48396
DDTD113EC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:48401
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:48406
TK6P65W,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:48411

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