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晶体管
APT80GA60LD40参考图片

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APT80GA60LD40

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥103.6549
103.6549
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
143 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
143 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
143 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 200MW
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:264659
晶体管
MOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5652
2,500:¥4.0454
参考库存:16061
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:83563
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥1.8871
参考库存:28565
晶体管
MOSFET BUK9M24-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
1,500:¥1.6272
参考库存:41067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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