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晶体管
TK12E80W,S1X参考图片

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TK12E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
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数量单价合计
1
¥25.4363
25.4363
10
¥20.4417
204.417
100
¥18.5998
1859.98
250
¥16.8257
4206.425
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK12E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD1628G-TD-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:6810
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-ch 30V 50A DP
1:¥7.2207
10:¥5.5822
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.4295
参考库存:1922
ZXMP6A13GTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V P-Chnl UMOS
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:45964
IRFZ44VZPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.441
参考库存:5086
FCH190N65F-F155
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead
1:¥27.4364
10:¥23.278
100:¥20.2044
250:¥19.1309
参考库存:3668

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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    4小时快速发货

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