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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA023JEB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA023JEB
单位重量	30 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZVN3310A	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 100V	1:¥6.2263 10:¥5.2206 100:¥3.3674 1,000:¥2.7007 4,000:¥2.7007	参考库存:27607
IRF3415PBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC	1:¥13.1419 10:¥11.2209 100:¥8.9157 500:¥7.8422 1,000:¥6.5088	参考库存:16404
ZTX605	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 NPN Darlington	1:¥6.6105 10:¥5.6613 100:¥4.3505 500:¥3.842 1,000:¥3.0397	参考库存:30581
FS100R07N2E4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V	1:¥740.4325 5:¥726.8273 10:¥694.0912 25:¥670.9714	参考库存:1248
SI5504BDC-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3	1:¥7.8422 10:¥6.4184 100:¥4.9268 500:¥4.2375 1,000:¥3.3448 3,000:¥3.3448	参考库存:47485