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晶体管

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BSM100GB120DLC

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库存:50,946(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥999.0782
9990.782
30
¥978.1732
29345.196
50
¥978.0941
48904.705
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCHOSA1 SP000100721
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:13522
晶体管
JFET JFET
100:¥430.7673
参考库存:58261
晶体管
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7685
参考库存:32479
晶体管
IGBT 模块 600V 30A 3-PHASE
10:¥584.7524
30:¥565.2373
100:¥526.2749
参考库存:58268
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:13536
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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