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晶体管
FCPF190N65S3R0L参考图片

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FCPF190N65S3R0L

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SUPERFET3 650V 17A 190 mOhm
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库存:6,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9104
15.9104
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.4468
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
144 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SuperFET3
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP
1:¥12.1362
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
参考库存:7592
晶体管
MOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
1:¥12.7577
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
参考库存:4874
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.6838
100:¥3.2318
500:¥2.8928
3,000:¥1.5594
9,000:查看
参考库存:18606
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:92183
晶体管
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:36540
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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