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晶体管
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TSM80N08CZ C0

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数量单价合计
4,000
¥5.5596
22238.4
5,000
¥5.2884
26442
10,000
¥5.1754
51754
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113.6 W, 2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
66 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
21.5 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003APW
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.1528
10:¥4.3053
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:19925
2N5172
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.6104
10:¥3.9098
100:¥2.4634
1,000:¥1.8419
参考库存:33087
BD136G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 45V 12.5W PNP
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.2487
1,000:¥1.7289
2,500:¥1.4803
参考库存:26369
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:357986
FDME1023PZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:21363

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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