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晶体管
IRFHM830TRPBF参考图片

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IRFHM830TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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库存:19,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2884
52.884
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7233
2723.3
4,000
¥2.7233
10893.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566782
单位重量
66 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:53337
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
参考库存:5774
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:250161
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:19183
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:39110
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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