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晶体管
DMN6013LFG-7参考图片

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DMN6013LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
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库存:20,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.4296
44.296
100
¥2.8589
285.89
1,000
¥2.2939
2293.9
2,000
¥2.2939
4587.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10.3 A
Rds On-漏源导通电阻
12.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27.6 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:32979
晶体管
MOSFET BUK9M10-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
1,500:¥1.6385
参考库存:17601
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
1:¥6.0681
10:¥5.2432
100:¥3.6386
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:8688
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:13765
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:3527
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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