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晶体管
DZT751-13参考图片

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DZT751-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 1W
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 600 mV
最大直流电集电极电流
- 6 A
增益带宽产品fT
145 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DZT751
直流电流增益 hFE 最大值
70
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
参考库存:2811
J211
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥22.5887
10:¥18.1365
100:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:45245
FF1200R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 1200A DUAL
1:¥7,771.7558
参考库存:45250
0910-60M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:45255
PMN27UPH
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
24,000:¥0.88366
45,000:¥0.85315
99,000:¥0.81473
参考库存:45260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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