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晶体管
DMT10H015LFG-7参考图片

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DMT10H015LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 500 mA PNP gen purpose transistors
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
5,000:¥0.32318
参考库存:26336
晶体管
MOSFET NMOS-Single
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19473
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.91
10:¥6.4749
参考库存:8425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V PNP
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:132172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.52997
参考库存:24524
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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