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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TDSON-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	95 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	139 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	OptiMOS
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.27 mm
长度	5.9 mm
系列	OptiMOS 5
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	5.15 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	140 S
开发套件	EVAL-600W-12V-LLC-A, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL
下降时间	9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	12 ns
工厂包装数量	5000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	46 ns
典型接通延迟时间	10 ns
零件号别名	BSC010N04LSATMA1 SP000928282
单位重量	100 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CGH40180PP	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt	1:¥3,146.7562	参考库存:4720
SI7178DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V	1:¥24.5097 10:¥20.2835 100:¥16.6788 250:¥16.2155 500:¥14.5205 3,000:¥14.5205	参考库存:25457
IRFS7434TRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC	1:¥19.7524 10:¥16.7466 100:¥13.447 500:¥11.752 800:¥9.6841 2,400:¥9.605	参考库存:27194
MRFE6VP61K25HR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H	1:¥1,342.553 5:¥1,312.6532 10:¥1,285.8383 25:¥1,266.8656 150:¥1,220.9085	参考库存:6056
SMMBFJ175LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	JFET SS SOT23 JFET PCH 30	1:¥4.5313 10:¥3.8081 100:¥2.3278 1,000:¥1.7967 3,000:¥1.5368	参考库存:22118