CSD18563Q5A原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSONP-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	15 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	116 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	5.75 mm
产品	Power MOSFET
系列	CSD18563Q5A
晶体管类型	1 N-Channel Power MOSFET
类型	60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
宽度	4.9 mm
商标	Texas Instruments
下降时间	1.7 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6.3 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11.4 ns
典型接通延迟时间	3.2 ns
单位重量	86 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SISH108DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH	1:¥5.4579 10:¥4.4183 100:¥3.3448 500:¥2.7685 1,000:¥2.2148 3,000:¥2.0001	参考库存:34295
PDTC143ZT,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.3108 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:185137
PMBT3906,235	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11	1:¥0.92208 10:¥0.81473 100:¥0.29154 1,000:¥0.1921 10,000:¥0.13108 20,000:查看	参考库存:393599
FP35R12W2T4PBPSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 BOND MODULE	1:¥399.4889 5:¥390.5054 10:¥375.2843 25:¥363.1481	参考库存:4941
IRF6674TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC	1:¥20.905 10:¥17.7523 100:¥14.2154 500:¥12.4526 4,800:¥9.2208 9,600:查看	参考库存:21353