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晶体管
IPB034N03L G参考图片

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IPB034N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:10,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0512
705.12
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
零件号别名
IPB034N03LGATMA1 IPB34N3LGXT SP000304126
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power
1:¥14.0572
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2207
参考库存:4033
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:179640
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:27422
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:163749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.61472
参考库存:14156
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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