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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATP103-TL-H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SWITCHING DEVICE	1:¥9.1417 10:¥7.8422 100:¥6.0342 500:¥5.3223 3,000:¥3.729 9,000:查看	参考库存:18984
AUIRF2804S-7P	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms	1:¥32.2728 10:¥27.4364 100:¥23.8204 250:¥22.5887	参考库存:9656
NST857BF3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123	1:¥3.5369 10:¥2.2487 100:¥0.96841 1,000:¥0.73789 8,000:¥0.49946 24,000:查看	参考库存:38478
FCH76N60NF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS	1:¥100.8186 10:¥92.7504 25:¥88.9084 100:¥78.2977 250:¥74.4557	参考库存:6805
FDMC8296	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH	1:¥11.6051 10:¥9.831 100:¥7.6049 500:¥6.7235 3,000:¥4.7008 9,000:查看	参考库存:6992