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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBTA63LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 500mA 30V PNP	1:¥1.6159 10:¥1.4238 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:287506
SBCW66GLT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 45V	1:¥3.616 10:¥2.3278 100:¥0.99892 1,000:¥0.7684 3,000:¥0.58421	参考库存:59723
FMMTA06TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power	1:¥3.3787 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:10860
PBHV8115Z,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV BISS TAPE-7	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 2,000:¥1.2317	参考库存:12487
DCX124EK-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PREBIASED TRANSISTOR SOT-26 300MW	1:¥3.0736 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:30539