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晶体管
IGW50N60T参考图片

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IGW50N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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库存：3,667(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60TFKSA1 IGW5N6TXK SP000054926
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMPB33XN,115
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB33XN/SOT1220/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:18349
2N7002,235
Nexperia
晶体管
MOSFET 2N7002/TO-236AB/REEL 11" Q3/T4
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:82326
PSMN018-100PSFQ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN018-100PSF SOT78/SIL3P
5,000:¥3.8307
10,000:¥3.6838
25,000:¥3.5708
参考库存:26578
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40V 20Vgss 175c 90A
2,500:¥6.2376
参考库存:26583
NVMFD5C478NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥7.0738
10:¥6.0794
100:¥4.6669
500:¥4.1245
1,500:¥2.8928
9,000:查看
参考库存:55863

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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