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晶体管
IGW50N60T参考图片

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IGW50N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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库存:3,667(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60TFKSA1 IGW5N6TXK SP000054926
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:16510
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥1,440.75
5:¥1,406.0929
10:¥1,371.2098
25:¥1,352.0789
参考库存:4117
晶体管
MOSFET Code D IMR
1:¥42.4202
10:¥36.0357
100:¥31.2784
250:¥29.6625
2,000:¥21.2892
4,000:查看
参考库存:12284
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.2998
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:13086
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.5725
10:¥31.1993
100:¥25.6623
250:¥24.8939
500:¥22.2836
参考库存:4093
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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