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晶体管
IPA60R650CEXKSA1参考图片

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IPA60R650CEXKSA1

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库存:1,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5653
65.653
100
¥5.0511
505.11
500
¥4.4635
2231.75
1,000
¥3.5143
3514.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPA60R650CE SP001276044
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
参考库存:46560
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:46565
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:46570
晶体管
MOSFET N-CH 80 V 17 MOHM MOSFET
4,800:¥3.3787
9,600:¥3.2544
24,800:¥3.1527
参考库存:46575
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
3,000:¥3.1188
6,000:¥2.9606
9,000:¥2.8589
24,000:¥2.7685
参考库存:46580
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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