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产品分类

晶体管
FS800R07A2E3_B31参考图片

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FS800R07A2E3_B31

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库存:2,515(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5,202.9155
5202.9155
5
¥5,119.7701
25598.8505
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
800 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.5 kW
封装 / 箱体
HybirdPack2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FS800R07A2E3B31BOSA1 SP001064622
单位重量
308 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥248.8034
5:¥239.1306
10:¥230.1358
25:¥211.4682
参考库存:52701
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥45.9458
10:¥41.0303
25:¥36.9623
50:¥35.2673
参考库存:52706
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -80V, -.1A
1:¥2.147
10:¥1.4012
100:¥0.63054
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:52711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:52716
晶体管
MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
1:¥14.5205
10:¥12.0684
3,000:¥12.0684
参考库存:52721
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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