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晶体管
BSC030N04NSGXT参考图片

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BSC030N04NSGXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:40,019(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥3.0623
15311.5
10,000
¥2.9606
29606
25,000
¥2.8589
71472.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC030N04NS BSC030N04NSGATMA1 G SP000354811
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:129525
晶体管
达林顿晶体管 1A 80V Bipolar Power NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,000:¥0.83733
参考库存:228127
晶体管
MOSFET 500V N-Channel
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
2,500:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:14789
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:327666
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A, 60V PNP Power Transistor
1:¥52.0252
10:¥51.5619
25:¥46.9515
100:¥42.4202
参考库存:3418
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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