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晶体管
FDN86265P参考图片

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FDN86265P

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库存:19,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.3843
7152.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
80 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
系列
FDN86265P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
9.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.9 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 22kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:31096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:30113
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,500:¥7.119
4,500:查看
参考库存:8600
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
参考库存:6592
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:12869
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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