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晶体管
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APT4M120K

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存：22,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥26.9731
269.731
100
¥24.5097
2450.97
250
¥22.1254
5531.35
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
3.12 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 W
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
9.19 mm
长度
10.26 mm
宽度
4.72 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N6300
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥274.0928
250:¥255.7981
参考库存:52523
1214-32L
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:52528
JAN2N3635UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.7754
250:¥128.3228
500:¥120.0964
参考库存:52533
BSM200GA120DLCS
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
10:¥945.2902
30:¥925.4587
50:¥925.3796
100:¥879.1287
参考库存:52538
FZT593TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:32776

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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