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晶体管
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APT4M120K

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存：22,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥26.9731
269.731
100
¥24.5097
2450.97
250
¥22.1254
5531.35
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
3.12 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 W
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
9.19 mm
长度
10.26 mm
宽度
4.72 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUL416T
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HI-VOLT FAST SW
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥15.5262
250:¥14.7578
参考库存:1114
SSM6J512NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
1:¥4.068
10:¥2.6894
100:¥1.5029
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:26411
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥8.6106
10:¥7.3902
100:¥5.6839
500:¥5.0172
1,500:¥3.5143
9,000:查看
参考库存:1973
FF600R12ME4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥1,780.4619
5:¥1,737.5784
10:¥1,694.4802
25:¥1,670.7276
参考库存:1415
AUIRFB8407
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:3917

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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