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晶体管
IPT020N10N3参考图片

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IPT020N10N3

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库存:12,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.194
3819.4
2,000
¥28.9732
57946.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
125 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPT020N10N3ATMA1 SP001100160
单位重量
65 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:52046
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
2,000:¥1.8419
参考库存:22048
晶体管
MOSFET AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:10950
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2998
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:17052
晶体管
MOSFET PT8P 40V LL DPAK
1:¥8.9157
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
2,500:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:14554
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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