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BSM200GA120DLCS

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数量单价合计
10
¥945.2902
9452.902
30
¥925.4587
27763.761
50
¥925.3796
46268.98
100
¥879.1287
87912.87
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA120DLCSHOSA1 SP000100751
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGW80V60F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
1:¥84.9873
10:¥76.7609
25:¥73.224
100:¥63.5512
参考库存:10061
JANTX2N3057A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥107.802
250:¥98.2761
500:¥91.982
1,000:¥84.3658
参考库存:56800
JANTXV2N3019S/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥182.495
250:¥167.4321
500:¥159.3639
参考库存:56805
BCP52
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 PNP GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
4,000:¥0.97632
参考库存:7523
JANTX2N4957UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥320.581
250:¥299.2127
参考库存:56812

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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