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晶体管
STGB20M65DF2参考图片

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STGB20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:6,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:46437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 55Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 350mW
1:¥3.7629
10:¥2.712
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:46442
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH 120Vcbo 5.0Vebo
2,000:¥7.4241
4,000:¥7.1416
10,000:¥6.8704
参考库存:46447
晶体管
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
2,500:¥1.2317
参考库存:53742
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:46454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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