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晶体管
DMG8822UTS-13参考图片

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DMG8822UTS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
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库存:53,742(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥1.2317
3079.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.9 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
9.6 nC, 9.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
870 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG8822
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.1 ns, 10.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.1 ns, 21.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.6 ns, 38.6 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns, 7.8 ns
单位重量
191 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM
1:¥7.8422
10:¥6.6783
100:¥5.1302
500:¥4.5313
3,000:¥3.1753
9,000:查看
参考库存:21936
晶体管
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.7632
2,500:¥7.571
5,000:查看
参考库存:15143
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
1:¥33.5836
10:¥28.5099
100:¥24.747
250:¥23.4362
参考库存:7130
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 15A
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1198
参考库存:3842
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.4578
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
8,000:¥0.49155
24,000:查看
参考库存:43374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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