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晶体管
BSC018NE2LS参考图片

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BSC018NE2LS

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:28,000(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.4071
640.71
500
¥5.6613
2830.65
1,000
¥4.4748
4474.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
零件号别名
BSC018NE2LSATMA1 BSC18NE2LSXT SP000756336
单位重量
118.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
1,000:¥5.0511
参考库存:24579
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
1,000:¥7.0286
参考库存:4106
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
3,000:¥13.2888
6,000:查看
参考库存:18543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 0.5A
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:112655
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
5,000:¥2.1809
参考库存:26117
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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