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晶体管
BSS138W H6327参考图片

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BSS138W H6327

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库存:581,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7402
17.402
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.43844
1315.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.12 S
下降时间
8.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.7 ns
典型接通延迟时间
2.2 ns
零件号别名
BSS138WH6327XT BSS138WH6327XTSA1 SP000924068
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 9A 2.5W
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:13387
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:13784
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,219.6768
5:¥1,190.3307
10:¥1,160.7473
25:¥1,144.5318
参考库存:2096
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
4,000:¥4.1923
8,000:查看
参考库存:5268
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:16560
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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