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晶体管
STP18N60M2参考图片

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STP18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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库存:6,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
参考库存:16501
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:7998
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.3627
10:¥18.5207
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
3,000:¥13.2888
参考库存:25725
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
1:¥24.6679
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
500:¥15.4471
参考库存:26487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.5086
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.6611
参考库存:11814
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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