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晶体管
STP18N60M2参考图片

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STP18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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库存:6,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
1:¥5.4579
10:¥4.4183
100:¥3.3448
500:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.0001
参考库存:34295
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:185137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.81473
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:393599
晶体管
IGBT 模块 BOND MODULE
1:¥399.4889
5:¥390.5054
10:¥375.2843
25:¥363.1481
参考库存:4941
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
4,800:¥9.2208
9,600:查看
参考库存:21353
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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