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晶体管
IAUS200N08S5N023ATMA1参考图片

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IAUS200N08S5N023ATMA1

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库存:12,792(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5153
5878.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOG-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IAUS200N08S5N023 SP001792362
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥96.8184
10:¥89.0553
25:¥85.3715
100:¥75.145
参考库存:6695
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥537.88
25:¥484.092
50:¥430.3831
参考库存:4062
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:15574
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥38.4991
10:¥31.8886
100:¥26.2838
250:¥25.4363
参考库存:9001
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8139
800:¥5.65
参考库存:27758
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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