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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2313
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BCP53-16,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105	参考库存:172349
IPA030N10N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 79A TO220FP-3 OptiMOS 3	1:¥40.9512 10:¥34.804 100:¥30.1936 250:¥28.6568 500:¥25.6623	参考库存:5051
PMBTA06,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500MA 80V	1:¥1.5368 10:¥1.3673 100:¥0.48364 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.24634	参考库存:503123
SSM6N55NU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD	1:¥3.9211 10:¥2.5877 100:¥1.4464 1,000:¥1.05316 3,000:¥0.90626	参考库存:32905
STGWA40H65DFB	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed	1:¥31.1993 10:¥26.5098 100:¥22.9729 250:¥21.8203	参考库存:8642