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晶体管
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2N6288G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 30V 40W NPN
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5144
55.144
100
¥4.2375
423.75
500
¥3.7516
1875.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6288
高度
9.28 mm (Max)
长度
10.28 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.82 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC4617EBTLR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:17935
BCR 119S H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:35087
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:1679
BCW66KHE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:670456
IRG4BC20KDSTRLP
Infineon / IR
晶体管
IGBT 模块 600V 10A
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥14.9838
800:¥11.3678
2,400:查看
参考库存:3568

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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